S5 Mk II только внешне похожа на S5. В новой модели применены лучшие наработки, использованные в S7. Также как и S3 Mk II данная модель изготавливается из экструдированного алюминия. Но используется заготовка большего диаметра и толщины (40,6 см – 1,27 см соответственно). Преимущества такого корпуса и способа его изготовления в том, что он сам по себе становится единой несущей конструкцией. Новая верхняя пластина обработана в элегантной трехмерной форме, чтобы свести к минимуму дифракцию корпуса и вертикальные стоячие волны. Акустическая система базируется на более массивной пластине, смещающей центр тяжести вниз и 4-точечной опоре – это снижает общий уровень искажений и улучшает динамику.
За высокие частоты отвечает 1-дюймовый твитер с бериллиевой диафрагмой с алмазным напылением, обладающий согласованной чувствительностью, широкой полосой и перегрузочной способностью. Надежная подвижная система и высокая звуковая катушка снижает искажения и делает более удобной «сшивку» со среднечастотным динамиком.
Лучшие характеристики в среднечастотной области обеспечивает 6-дюймовый среднечастотный динамик с диффузором из многослойной структуры из карбоновых нанотрубок и нанографена. Это позволило сделать его легче на 20% и на 300% жестче, чем в предыдущей версии. Кроме того, для оптимальной работы среднечастотный динамик помещен в специально разработанную для него полимерную камеру – она была впервые применена в модели S3 и существенно улучшает контроль и артикуляцию в СЧ-диапазоне.
В отличие от модели S3 Mk II в S5 Mk II применены НЧ-динамики большего размера. 10-дюймовые басовики комплектуются новой «моторной» системой с чрезвычайно мощными магнитами и ультра-жесткими алюминиевыми диффузорами со специальным покрытием и графеновыми пылезащитными колпачками. Это позволяет воспроизводить еще более низкие, чем S3 Mk II частоты и обеспечивать мощный, точный и быстрый бас.
Эллиптический симметричный фильтр S5 Mk II с использованием самых современных комплектующих немецкой фирмы Mundorf обеспечивает максимальную полосу, фазовую линейность и минимальные интермодуляционные погрешности.